使用时间控制的雷射划线制程及电浆蚀刻之混合式晶圆切割方法;HYBRID WAFER DICING APPROACH USING TEMPORALLY-CONTROLLED LASER SCRIBING PROCESS AND PLASMA ETCH

摘要

本发明描述切割半导体晶圆的方法，且每个晶圆具有复数个积体电路。在一实施例中，用来切割具有复数个积体电路之半导体晶圆的方法包括在半导体晶圆上形成遮罩，该遮罩包括覆盖并保护该等积体电路的膜层。该方法亦包括使用时间控制的雷射划线制程对该遮罩进行图案化以提供具有缝隙的图案化遮罩，暴露出该半导体晶圆介在该等积体电路之间的区域。该时间控制雷射划线制程包括使用雷射束进行划线，该雷射束具有的模式包含：前导的飞秒雷射部分及尾部的较低强度且较高通量部分。该方法亦包括透过该图案化遮罩中的缝隙以电浆蚀刻半导体晶圆来切割该等积体电路。