半导体装置及其制造方法;SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

摘要

此处说明具有一或更多主动奈米布线以及一或更多非主动奈米布线的奈米布线为基础的闸极全环绕电晶体装置。也说明制造这些装置的方法。本发明的一或更多实施例关于改变包括奈米布线堆叠的电晶体结构的闸极宽度之方式，奈米布线堆叠具有不同数目的奈米布线。方式包含藉由分开通道区、掩埋源极和汲极区、或二者而使某些数目的奈米布线非主动(亦即，以致于电流不流经奈米布线)。整体而言，藉由使某些数目的奈米布线非主动并使其它奈米布线维持为主动的，以改变具有复数奈米布线之奈米布线为基础的结构之闸极宽度。