自对准接触窗及其制造方法;A SELF-ALIGNED CONTACT AND METHOD OF FORMING THE SAME

摘要

本揭露之一些实施例关于形成用于一电晶体之一源极/汲极接触窗的一方法。方法包括形成一对闸极结构于一第一介电材料之内在一基板之一表面上，其藉由一蚀刻终止材料与第一介电材料分离。一盖罩材料被形成于此对闸极结构与第一介电材料之上。藉由以掺杂物布植盖罩材料之区域，来形成罩幕材料之一图案。之后，藉由一选择性蚀刻移除盖罩材料之经布植的区域，其形成在各闸极结构之上之罩幕材料的图案。罩幕材料之图案被设置以在一随后之蚀刻步骤的期间，遮蔽各闸极结构，以避免闸极结构至源极/汲极接触窗短路。