发明名称 堆叠式记忆体阵列装置之感测操作;SENSE OPERATION IN A STACKED MEMORY ARRAY DEVICE
摘要 本发明揭示用于感测之方法及记忆体装置。一种用于感测之此方法包含回应于一特定层(例如,相对于其他层)之一程式化速率而改变彼特定层之一感测条件。
申请公布号 TW201539456 申请公布日期 2015.10.16
申请号 TW104121388 申请日期 2012.03.07
申请人 美光科技公司 MICRON TECHNOLOGY, INC. 发明人 合田晃 GODA, AKIRA;刘增涛 LIU, ZENGTAO
分类号 G11C16/06(2006.01);G11C16/26(2006.01) 主分类号 G11C16/06(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 美国 US