氮化物半导体发光元件及其制造方法

摘要

实现具有提升带间隙能，并且即使厚膜化，也可抑制发现裂痕的n型氮化物半导体层的半导体发光元件及其制造方法。具有：于成长基板上，形成GaN层的工程(a)、于GaN层的上层，形成包含有包含In的氮化物半导体之第一层，与以氮化物半导体所构成之第二层的多层膜的工程(b)、于多层膜上，形成以氮化物半导体所构成之保护层的工程(c)、于保护层上，以比工程(b)及工程(c)还高的成长温度形成n型氮化物半导体层的工程(d)、于n型氮化物半导体层上，形成活性层及p型氮化物半导体层的工程(e)、及照射具有比构成多层膜之氮化物半导体的带间隙能还小的能量之波长的光线，剥离成长基板的工程(f)；于工程(d)中，对多层膜进行热分解，于内部形成孔隙。