二维自对准之电晶体接触;TRANSISTOR CONTACTS SELF-ALIGNED IN TWO DIMENSIONS

摘要

本发明之具体实施例提供改良型半导体结构及制造方法，其提供二维自对准之电晶体接触。使用的是两个各由不同材料构成的不同覆盖层。这两个覆盖层互为可选择性蚀刻。一覆盖层系用于闸极覆盖，而另一覆盖层系用于源极/汲极覆盖。选择性蚀刻程序使所需的闸极和源极/汲极敞开，而阻隔遮罩则系用于覆盖并非连接架构任何部分的元件。金属化线件(层件)经沉积而与敞开之元件接触，以在两者之间提供电连接性。