| 发明名称 |
半导体装置及其形成方法;SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME |
| 摘要 |
形成铝层于半导体基底之上；移除铝层之一选择部分以形成开口；阳极氧化铝层以获得具有复数个孔洞之氧化铝介电层，上述孔洞实质上垂直于半导体基底之表面；以导电内连线材料填充开口；扩大上述孔洞以形成复数个空气间隙；以及形成顶部蚀刻停止层于氧化铝介电层之上。 |
| 申请公布号 |
TW201539526 |
申请公布日期 |
2015.10.16 |
| 申请号 |
TW103146008 |
申请日期 |
2014.12.29 |
| 申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. |
发明人 |
吴佳典 WU, CHIA TIEN;林天禄 LIN, TIEN LU |
| 分类号 |
H01L21/02(2006.01);H01L21/768(2006.01);H01L23/48(2006.01);H01L23/52(2006.01);H01L23/532(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/02(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪澄文颜锦顺 |
| 主权项 |
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| 地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 TW |
