发明名称 聚烯烃系无延伸多层薄膜
摘要 本发明提供一种聚烯烃系无延伸多层薄膜,其熔断密封强度高且其偏差少;浊度、光泽、像鲜明性等光学特性优异;抗静电剂之调配量少时仍能展现优异之抗静电效果。;本发明之聚烯烃系无延伸多层薄膜之特征系依序积层最外层的A层、中间层的B层及最外层的C层而成之聚烯烃系无延伸多层薄膜,且A层及C层分别由含有使用茂金属系触媒聚合之丙烯-乙烯无规共聚物之聚丙烯系树脂形成;B层由含有长链分支LLDPE、LLDPE、聚丙烯系树脂及抗静电剂之聚烯烃系树脂形成,且用于熔断密封用途。
申请公布号 TW201538326 申请公布日期 2015.10.16
申请号 TW104103053 申请日期 2015.01.29
申请人 三得为股份有限公司 SUN.TOX CO., LTD. 发明人 仓本直彦 KURAMOTO, NAOHIKO;三轮和弘 MIWA, KAZUHIRO;勘田健二 KANDA, KENJI;村越阳介 MURAKOSHI, YOUSUKE;佐藤豪一 SATOU, HIDEICHI
分类号 B32B27/32(2006.01);B32B7/02(2006.01);B29C47/06(2006.01);B29D7/01(2006.01);B65B51/10(2006.01);B65D77/12(2006.01);B29L9/00(2006.01) 主分类号 B32B27/32(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本 JP