| 发明名称 |
高压半导体元件及其制造方法;High Voltage Semiconductor Device And Method For Manufacturing The Same |
| 摘要 |
一种高压半导体元件，包括一高压半导体电晶体(HVMOS)和一常开型低压半导体电晶体(normally-on LVMOS)电性连接高压半导体电晶体。HVMOS具有一第一集极及一第一发射极。常开型LVMOS具有一第二集极及一第二发射极，其中常开型LVMOS之第二集极系电性连接至HVMOS之第一发射极，因而形成一静电防护双极电晶体，如一NPN型静电防护双极电晶体。 |
| 申请公布号 |
TW201539745 |
申请公布日期 |
2015.10.16 |
| 申请号 |
TW103112836 |
申请日期 |
2014.04.08 |
| 申请人 |
旺宏电子股份有限公司 MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD. |
发明人 |
陈信良 CHEN, HSIN LIANG;陈永初 CHAN, WING CHOR;吴锡垣 WU, SHYI YUAN |
| 分类号 |
H01L29/73(2006.01);H01L21/28(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/73(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
祁明辉林素华 |
| 主权项 |
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| 地址 |
新竹县科学工业园区力行路16号 TW |
