发明名称 半导体记忆体装置及其制造方法;SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
摘要 根据一项实施例,一种半导体记忆体装置包括:一基板;一半导体支柱,其提供于该基板上以在一垂直方向上延伸;复数个第一电极膜,其提供于该半导体支柱侧方以在一第一方向上延伸。该复数个第一电极膜经安置为沿着该垂直方向彼此分离。该半导体记忆体装置进一步包括提供于该半导体支柱与该等第一电极膜之间的复数个第二电极膜。该复数个第二电极膜经安置为沿着该垂直方向彼此分离。该半导体记忆体装置进一步包括:提供于该半导体支柱与该等第二电极膜之间的一第一绝缘膜;及提供于该第二电极膜与该第一电极膜之间的一第二绝缘膜。
申请公布号 TW201539724 申请公布日期 2015.10.16
申请号 TW104100803 申请日期 2015.01.09
申请人 东芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 发明人 坂本涉 SAKAMOTO, WATARU;铃木亮太 SUZUKI, RYOTA;冈本达也 OKAMOTO, TATSUYA;加藤龙也 KATO, TATSUYA;荒井史隆 ARAI, FUMITAKA
分类号 H01L27/115(2006.01) 主分类号 H01L27/115(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 日本 JP