| 发明名称 |
记忆单元及其制造方法;MEMORY CELL AND FABRICATING METHOD THEREOF |
| 摘要 |
一种记忆单元及其制造方法，所述记忆单元包括第一导体层、穿隧介电层、阶梯状氧化层以及第一介电层。第一导体层位于基底上，其侧壁呈阶梯状。穿隧介电层位于第一导体层与基底之间。阶梯状氧化层覆盖于第一导体层的表面与侧壁上。第一介电层覆盖阶梯状氧化层。 |
| 申请公布号 |
TW201539719 |
申请公布日期 |
2015.10.16 |
| 申请号 |
TW103113347 |
申请日期 |
2014.04.11 |
| 申请人 |
旺宏电子股份有限公司 MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD. |
发明人 |
马处铭 MA, CHU MING |
| 分类号 |
H01L27/115(2006.01);H01L21/8247(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/115(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
詹铭文叶璟宗 |
| 主权项 |
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| 地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行路16号 TW |
