| 发明名称 |
碳化矽渠沟电晶体及其制造方法;SIC-TRENCH-TRANSISTOR AND PROCESS FOR ITS PRODUCTION |
| 摘要 |
一种碳化矽渠沟电晶体(1)，包含第一端子(2)、沿竖向设于闸渠沟(3)与第二端子(5)之间的磊晶层(4)，其中在该磊晶层(4)中设有水平延伸的补偿层(6)，该补偿层具有类型与该磊晶层(4)的掺杂相反的有效掺杂。此外还关于一种制造碳化矽渠沟电晶体(1)的方法，其中在该碳化矽渠沟电晶体(1)的第二端子(5)上设置磊晶层(4)；在该磊晶层(4)中植入水平延伸的补偿层(6)，该补偿层具有类型与该磊晶层(4)的掺杂相反的有效掺杂；以及在该补偿层(6)上方设置第一端子(2)及闸渠沟(3)。 |
| 申请公布号 |
TW201539581 |
申请公布日期 |
2015.10.16 |
| 申请号 |
TW104101057 |
申请日期 |
2015.01.13 |
| 申请人 |
罗伯特博斯奇股份有限公司 ROBERT BOSCH GMBH |
发明人 |
蓝姆巴赫 马汀 RAMBACH, MARTIN;葛里伯 米歇尔 GRIEB, MICHAEL;贾克 汤玛斯 JACKE, THOMAS;库 宁 QU, NING |
| 分类号 |
H01L21/336(2006.01);H01L29/161(2006.01);H01L29/36(2006.01);H01L29/78(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
阎启泰林景郁 |
| 主权项 |
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| 地址 |
德国 DE |
