发明名称 |
半导体装置;SEMICONDUCTOR DEVICE |
摘要 |
提供一半导体装置,其甚至在其电晶体为空乏型电晶体之事例中仍可稳定操作。该半导体装置包括第一电晶体,用以供应第一电位到第一布线;第二电晶体,用以供应第二电位到该第一布线;第三电晶体,用以供应开通该第一电晶体之第三电位到该第一电晶体的闸极及停止供应该第三电位;第四电晶体,用以供应该第二电位到该第一电晶体的该闸极;以及第一电路,用以产生藉由偏移第一讯号所获得之第二讯号。该第二讯号系输入到该第四电晶体的闸极。该第二讯号的低位准之该电位低于该第二电位。 |
申请公布号 |
TW201539460 |
申请公布日期 |
2015.10.16 |
申请号 |
TW104123251 |
申请日期 |
2012.05.10 |
申请人 |
半导体能源研究所股份有限公司 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. |
发明人 |
梅崎敦司 UMEZAKI, ATSUSHI |
分类号 |
G11C19/18(2006.01);G11C19/28(2006.01);G11C19/36(2006.01);G09G3/20(2006.01) |
主分类号 |
G11C19/18(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
主权项 |
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地址 |
日本 JP |