具有倾斜底部电极之电阻式记忆体单元;RESISTIVE MEMORY CELL WITH SLOPED BOTTOM ELECTRODE

摘要

本发明揭示一种形成一电阻式记忆体单元(例如一导电桥接随机存取记忆体(CBRAM)或电阻式随机存取记忆体(ReRAM)单元)之方法，其可包含：形成复数个底部电极连接件；将一底部电极层沈积于该等底部电极连接件上；执行一蚀刻以移除该底部电极层之部分，以使至少一指向上底部电极区域形成于该等底部电极连接件上方，各指向上底部电极区域界定一底部电极尖端；及使一电解质区域及一顶部电极形成于各底部电极尖端上，使得该电解质区域配置于该顶部电极与该各自底部电极尖端之间。