发明名称 |
半导体装置之制造方法;METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE |
摘要 |
藉着抑制镀金电极的表面状态之变化,来防止半导体装置的外观检查之误报。 在形成镀金电极之际,交互重复进行让电镀装置的处理杯体所设之阳极电极与阴极电极之间通电使电镀层结晶成长之步骤(通电ON)、及让阳极电极与阴极电极之间不通电之步骤(通电OFF),而形成叠层的复数电镀层所构成之镀金电极。因此,即使电镀液中的成分产生经时变化,亦可抑制镀金电极的表面状态之变化,维持例如0.025rad左右粗度之表面状态。其结果,在镀金电极之外观检查中,可减少起因于镀金电极的明亮度变化所致之半导体装置的外观检查的误报。 |
申请公布号 |
TW201538807 |
申请公布日期 |
2015.10.16 |
申请号 |
TW104101022 |
申请日期 |
2015.01.13 |
申请人 |
瑞萨电子股份有限公司 RENESAS ELECTRONICS CORPORATION |
发明人 |
村上善则 MURAKAMI, YOSHINORI;福间准 FUKUMA, HITOSHI;金冈卓 KANAOKA, TAKU |
分类号 |
C25D7/12(2006.01);H01L21/02(2006.01);H01L21/288(2006.01);H01L21/44(2006.01) |
主分类号 |
C25D7/12(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
周良谋周良吉 |
主权项 |
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地址 |
日本 JP |