HALBLEITERVORRICHTUNG MIT HALBLEITERMESA EINSCHLIESSLICH EINER VERENGUNG

摘要

Eine Halbleitervorrichtung (510) umfasst eine Bodyzone (115) in einer Halbleitermesa (150), die zwischen benachbarten Steuerstrukturen (160) gebildet ist, die sich von einer ersten Oberfläche (101) in einen Halbleiterkörper (100) erstrecken. Eine Driftzone (121) bildet einen ersten pn-Übergang mit der Bodyzone (115). In der Halbleitermesa (150) umfasst die Driftzone (121) einen ersten Driftzonenabschnitt (121a), der einen verengten Abschnitt (159) der Halbleitermesa (150) aufweist. Eine minimale horizontale Breite des verengten Abschnittes (159) parallel zu der ersten Oberfläche (101) ist kleiner als eine maximale horizontale Breite der Bodyzonen (115). Eine Emitterschicht (130) zwischen der Driftzone (121) und der zweiten Oberfläche (102) parallel zu der ersten Oberfläche (101) umfasst wenigstens eine erste Zone (131) eines Leitfähigkeitstyps der Driftzone (121).