Es ist eine sehr zuverlässige Halbleitervorrichtung mit einer hohen Stehspannung vorgesehen. Als Mittel dafür wird die Störstellenkonzentration im Fall einer Schottky-Diode in einem ersten JTE-Gebiet auf 4,4 × 1017 cm–3 oder darüber und 6 × 1017 cm–3 oder darunter gesetzt und wird die Störstellenkonzentration in einem zweiten JTE-Gebiet auf 2 × 1017 cm–3 oder darunter gesetzt und wird die Störstellenkonzentration im Fall einer Übergangsbarrieren-Schottky-Diode im ersten JTE-Gebiet auf 6 × 1017 cm–3 oder darüber und 8 × 1017 cm–3 oder darunter gesetzt und wird die Störstellenkonzentration im zweiten JTE-Gebiet auf 2 × 1017 cm–3 oder darunter gesetzt.
