メサ形の電流伝導が改善されたＡＬＧＡＩＮＮ半導体レーザ

摘要

本発明は、半導体レーザの製造方法と、複数の層を積層した積層構造体を有する半導体レーザ（１）とに関し、前記積層構造体は少なくとも、ａ．ｎ型ドープされたクラッド層（１０）と、ｂ．第３の導波層（１１）と、ｃ．内部に発光構造が配置されている活性領域（６）と、ｄ．第２の導波層（１３）と、ｅ．阻止層（１４）と、ｆ．第１の導波層（１５）と、ｇ．ｐ型ドープされたクラッド層（１６）との積層体を有し、前記第１，第２および第３の導波層（１５，１３，１１）は、少なくともＡＩｘＩｎｙＧａ（１−ｘ−ｙ）Ｎを含み、ここで、ｘは０〜１の間の値をとり、ｙは０〜１の間の値をとり、かつ、ｘとｙとの和は０〜１の間の値をとり、前記阻止層（１４）のＡｌ含有率は、隣接する前記第１の導波層（１５）のＡｌ含有率より少なくとも２％多く、前記阻止層（１４）のＡｌ含有率は、前記第１の導波層（１５）から前記第２の導波層（１３）へ向かう方向に増加していき、前記積層構造体は両側に段部（９）を有し、前記両側の段部（９）は前記阻止層（１４）の高さに位置していることにより、前記阻止層（１４）の少なくとも一部または全部の幅が前記第１の導波層（１５）の幅より大きくなっている。さらに、本発明は半導体レーザの製造方法にも関する。