发明名称 INSULATION STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要 본 발명의 목적은 기판 내나 기판 사이의 온도 균일성을 향상시키면서 노 내 온도를 신속하게 저하시켜서 스루풋을 향상시킬 수 있는 단열 구조체 및 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 데 있다.원통 형상으로 형성된 측벽부를 포함하고, 상기 측벽부가 복수 층 구조로 형성되는 단열 구조체로서, 상기 측벽부의 외측에 배치된 측벽 외층의 상부에 설치된 냉각 가스 공급구; 상기 측벽부의 내측에 배치된 측벽 내층과 상기 측벽 외층 사이에 설치되는 냉각 가스 통로; 상기 냉각 가스 통로로부터 상기 측벽 내층의 내측의 공간에 냉각 가스를 취출(吹出)하도록 상기 측벽 내층에 설치된 복수의 취출공; 상기 냉각 가스 공급구와 상기 냉각 가스 통로에 연설(連設)되는 버퍼 영역; 및 상기 버퍼 영역과 상기 냉각 가스 통로의 경계면의 단면적을 작게 하는 교축부(絞縮部);를 포함하되, 상기 교축부는 상하 방향에 적어도 2개 설치된다.
申请公布号 KR101560615(B1) 申请公布日期 2015.10.15
申请号 KR20140023110 申请日期 2014.02.27
申请人 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 发明人 코스기 테츠야;타케와키 모토야;무라타 히토시;우에노 마사아키
分类号 H01L21/205;H01L21/22 主分类号 H01L21/205
代理机构 代理人
主权项
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