Optoelektronisches Halbleiterelement, optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterelementen

摘要

Es wird ein optoelektronisches Halbleiterelement (100) umfassend mindestens einen LED-Chip (1), der im Betrieb über eine Oberseite (10) infrarote Strahlung emittiert, angegeben. Die Strahlung weist bei Wellenlängen zwischen 800 nm und 1100 nm ein globales Intensitätsmaximum (Imax) auf. Ferner weist die Strahlung bei einer Grenzwellenlänge (λG) von 750 nm höchstens 5 % der Intensität des Intensitätsmaximums (Imax) auf. Außerdem hat die Strahlung einen sichtbaren roten Lichtanteil. Das Halbleiterelement (100) umfasst außerdem ein Filterelement (2), das unmittelbar oder mittelbar auf der Oberseite (10) des LED-Chips (1) angeordnet ist und für den sichtbaren roten Lichtanteil des LED-Chips (1) eine Transmissivität von höchstens 5 % aufweist. Die Transmissivität des Filterelements (2) ist für Wellenlängen zwischen der Grenzwellenlänge (λG) und 1100 nm zumindest teilweise zumindest 80 %. Ferner umfasst das Halbleiterelement (100) eine zur Emission der gefilterten Strahlung vorgesehene Strahlungsaustrittsfläche (101), die durch die von dem LED-Chip (1) abgewandte Seite des Filterelements (2) gebildet ist.