| 摘要 |
<p>Diese Fotodiodenanordnung ist mit einer Vielzahl von Fotodioden ausgestattet, welche auf einem Halbleiterträgermaterial ausgebildet sind. Jede der Fotodioden weist auf: einen ersten Halbleiterbereich eines ersten Leitungstyps, welcher auf dem Halbleiterträgermaterial vorgesehen ist; einen zweiten Halbleiterbereich des ersten Leitungstyps, welcher eine höhere Störstellenkonzentration als die des ersten Halbleiterbereichs aufweist und auf einer Oberfläche des Halbleiterträgermaterials in Bezug zu dem ersten Halbleiterbereich positioniert ist; einen dritten Halbleiterbereich eines zweiten Leitungstyps, welcher den ersten Halbleiterbereich und einen Fotodetektionsbereich bildet und an der einen Oberfläche in Bezug zu dem ersten Halbleiterbereich so vorgesehen ist, um den zweiten Halbleiterbereich zu umgeben und von dem zweiten Halbleiterbereich getrennt zu sein; und eine Durchbruchselektrode, welche mit dem dritten Halbleiterbereich elektrisch verbunden ist und innerhalb einer Durchbruchsöffnung zum Hindurchtreten zwischen der einen Oberfläche und der anderen Oberfläche des Halbleiterträgermaterials positioniert ist, um durch den ersten Halbleiterbereich und den zweiten Halbleiterbereich hindurch zu treten.</p> |
