SUBSTRATE TREATING APPARATUS AND CHAMBER PRODUCING METHOD
摘要
<p>본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 내부에 공간이 형성된 공정 챔버, 상기 공정 챔버 내부에 위치되며, 기판을 지지하는 지지 유닛 및 플라즈마 상태의 공정가스를 상기 공정 챔버 내부에 공급하는 공정 가스 공급부를 포함하되, 상기 공정 챔버는 그 표면 조도가 20nm 내지 60nm로 제공된 부품을 갖는 포함할 수 있다.</p>
