| 摘要 |
<p>Halbleiterkörper (2), der eine Halbleiterschichtenfolge mit einem zur Strahlungserzeugung geeigneten aktiven Bereich (3) umfasst, wobei die Halbleiterschichtenfolge zwei Kontaktschichten (6, 7) umfasst, zwischen denen der aktive Bereich angeordnet ist, den Kontaktschichten jeweils eine auf dem Halbleiterkörper angeordnete Anschlussschicht (12, 13) zugeordnet ist, die jeweilige Anschlussschicht mit der zugeordneten Kontaktschicht elektrisch leitend verbunden ist, die jeweilige Anschlussschicht auf der von dem aktiven Bereich abgewandten Seite der zugeordneten Kontaktschicht angeordnet ist, die Anschlussschichten für die in dem aktiven Bereich zu erzeugende Strahlung durchlässig sind, beide Kontaktschichten (6, 7) p-leitend ausgeführt sind, die Kontaktschichten (6, 7) GaAs oder AlGaAs enthalten, und der aktive Bereich (3) ein Material aus dem Materialsystem InxGayAl1-x-yP, mit 0≤x≤1, 0≤y≤1 und x + y≤1 enthält.</p> |
