在半导体器件中进行失效分析的方法

摘要

一种在半导体器件中进行失效分析的方法，包括：提供待测的半导体器件，所述半导体器件包括晶片和封装覆层；在封装覆层的一侧形成暴露晶片正面的开口；在暴露的晶片正面进行失效分析；填充所述开口；在封装覆层的另一侧进行研磨直至暴露晶片背面；在暴露的晶片背面进行失效分析。与现有技术相比，本发明采用先在晶片正面开口，后在晶片背面研磨的方法，实现在晶片的正背面分别进行一次失效分析，提高了失效分析的准确性，增强了失效分析的效果，改善了晶片的利用率。

主权项

一种在半导体器件中进行失效分析的方法，包括：提供待测的半导体器件，所述半导体器件包括晶片和封装覆层，所述封装覆层用于包覆晶片；在封装覆层的一侧形成暴露晶片正面的开口，所述开口为通过施加强酸溶液腐蚀部分封装覆层后得到的侧截面呈外宽内窄的结构，所述侧截面呈外宽内窄的开口仅剥除了一部分的封装覆层，而未影响并损及晶片及其周边的组件；在暴露的晶片正面进行失效分析；采用填料填充所述开口直至将其填平，在填充过程中，同时伴有加热动作，促使所述填料软化并完全填塞开口；在填充所述开口之后，在所述封装覆层上覆上保护层；在封装覆层的另一侧进行研磨直至暴露晶片背面；在暴露的晶片背面进行失效分析。