具有活性离子界面区的非易失性存储器

摘要

公开了非易失性存储器单元及其使用方法。根据各实施例，该存储器单元包括：位于导电区和金属区之间的隧穿区，其中隧穿区包括位于第一隧穿势垒和第二隧穿势垒之间的活性界面区。响应于将存储器单元编程至选定阻态的写电流，利用来自金属区和导电区两者的离子迁移在活性界面区中形成高阻性薄膜。

主权项

一种非易失性存储器单元，包括导电区、金属区以及位于导电区和金属区之间的隧穿区，其中所述隧穿区包括第一隧穿势垒、第二隧穿势垒以及位于第一隧穿势垒和第二隧穿势垒之间的活性界面区，并且其中响应于将所述存储器单元编程至选定阻态的写电流的施加而利用来自所述金属区和所述导电区两者的离子迁移在所述活性界面区内形成高阻性薄膜。