射频横向双扩散场效应晶体管及其制造方法

摘要

本发明公开了一种射频横向双扩散场效应晶体管，在P型衬底上生长外延层，所述外延层结构为从下往上分别为P型轻掺杂外延层、N型轻掺杂外延层、P型重掺杂外延层与N型重掺杂外延层的层叠结构。本发明的RFLDMOS具有比普通RFLDMOS更低的RDSON，较大的BV，同时具有较低的输出电容。同时，本发明采用外延生长技术，使得外延层的厚度、导电类型、掺杂浓度等均易于控制，并且减少了一次漂移区离子注入和光刻过程。

主权项

一种射频横向双扩散场效应晶体管的制造方法，其特征在于，包括：步骤1、在P型衬底上生长P型轻掺杂外延层，在所述P型轻掺杂外延层上生长一层N型轻掺杂外延层，在所述N型轻掺杂外延层上生长一层P型重掺杂外延层，在所述P型重掺杂外延层上再生长一层N型重掺杂外延层；步骤2、P阱的形成，通过模板定义P阱区域，离子注入并高温推进形成P阱；步骤3、多晶硅栅的形成，通过热氧化生长一层氧化层，然后淀积一层多晶硅，通过模板定义刻蚀出其图形，形成多晶硅栅；步骤4、通过光刻版定义出P+区域、N+源区及N+漏区；步骤5、法拉第屏蔽层的形成，淀积一层介质层，然后淀积一层金属，通过模板定义，刻蚀形成法拉第屏蔽层；步骤6、多晶硅塞或者金属塞的形成，通过模板定义出多晶硅塞或者金属塞的位置和大小，淀积重掺杂的多晶硅或者金属塞，形成多晶硅塞或者金属塞。