一种用于三维集成封装技术的圆片级键合方法

摘要

本发明的目的是提供一种用于三维集成封装技术的圆片级键合方法，其属于低温的圆片键合方法，可以避免在高温下因焊料的软化出现凸点间的横向偏移或者金属键合过程中金属表面易氧化等问题。该方法包括：完成第一圆片的硅通孔、正面制备工艺、背面减薄以及背面制备工艺；在第一圆片的背面上涂覆第一干刻蚀型苯丙环丁烯并对第一干刻蚀型苯丙环丁烯进行固化；通过对第一干刻蚀型苯丙环丁烯进行处理使得所述第一圆片的背面上的用于与已形成有硅通孔的第二圆片进行电学连接的部位暴露出来；将第二圆片与所述第一圆片进行对准键合，其中第二圆片的硅通孔与第一圆片的背面上的所述部位对准；以及完成第二圆片的硅通孔和背面工艺的制备。

主权项

一种用于三维集成封装技术的圆片级键合方法，该方法包括：完成第一圆片的硅通孔、正面制备工艺、背面减薄以及背面制备工艺；在所述第一圆片的背面上涂覆第一干刻蚀型苯丙环丁烯并对所述第一干刻蚀型苯丙环丁烯进行固化；对所述第一干刻蚀型苯丙环丁烯进行处理以使得所述第一圆片的背面上的用于与已形成有硅通孔的第二圆片进行电学连接的部位暴露出来；将所述第二圆片与所述第一圆片进行对准键合，其中所述第二圆片的硅通孔与所述第一圆片的背面上的所述部位对准；以及完成所述第二圆片的硅通孔和背面工艺的制备。