| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置具备：P沟道DMOS晶体管，其具备N型栅电极；P沟道MOS晶体管，其具备P型栅电极；N沟道MOS晶体管，其具备N型栅电极。优选为，P沟道DMOS晶体管的N型栅电极具有：位于P沟道DMOS晶体管的源极侧的第一端部；和位于P沟道DMOS晶体管的漏极侧的第二端部，并且P沟道DMOS晶体管在第一端部处具有P型扩散层。 | ||
| 申请公布号 | CN104979348A | 申请公布日期 | 2015.10.14 |
| 申请号 | CN201510155592.9 | 申请日期 | 2015.04.02 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 新田博明;赤沼英幸;桑沢和伸 |
| 分类号 | H01L27/088(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I;H01L21/8234(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/088(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人 | 苏萌萌;范文萍 |
| 主权项 | 一种半导体装置，具备：P沟道双扩散金属氧化物半导体晶体管，其具备N型栅电极；P沟道金属氧化物半导体晶体管，其具备P型栅电极；N沟道金属氧化物半导体晶体管，其具备N型栅电极。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||