记忆单元及其制造方法

摘要

本发明是有关于一种记忆单元及其制造方法，所述记忆单元包括第一导体层、穿隧介电层、阶梯状氧化层以及第一介电层。第一导体层位于基底上，其侧壁呈阶梯状。穿隧介电层位于第一导体层与基底之间。阶梯状氧化层覆盖于第一导体层的表面与侧壁上。第一介电层覆盖阶梯状氧化层。

主权项

一种记忆单元的制造方法，其特征在于其包括以下步骤：在一基底上形成一穿隧介电层与一第一导体层；在所述穿隧介电层与所述第一导体层的两侧分别形成一沟渠；在所述沟渠中分别形成一绝缘层，所述绝缘层的表面低于所述第一导体层的表面，裸露出所述第一导体层的一第一侧壁；进行一第一氧化工艺，以在所述第一导体层的表面与所述第一侧壁上形成一第一氧化层；移除所述第一氧化层并移除部分所述绝缘层，以裸露出所述第一导体层的一第二侧壁，所述第二侧壁呈阶梯状；进行一第二氧化工艺，以在所述第一导体层的表面与所述第二侧壁形成一第二氧化层；以及在所述第二氧化层以及所述绝缘层上形成一第一介电层。