发明名称 |
P型一次性可编程器件结构 |
摘要 |
本发明公开了一种P型一次性可编程器件结构,在硅片上形成有N型阱,在N型阱上从左到右依序形成有第一P型重掺杂区、第二P型重掺杂区、第三P型重掺杂区,第一P型重掺杂区同第二P型重掺杂区之间的N型阱上及第二P型重掺杂区同第三P型重掺杂区之间的N型阱上分别形成有栅氧,第一P型重掺杂区同第二P型重掺杂区之间的栅氧之上形成有存储管栅极多晶硅,第二P型重掺杂区同第三P型重掺杂区之间的栅氧之上形成有选通管栅极多晶硅,所述存储管栅极多晶硅上方形成有一导电层,所述导电层同所述存储管栅极多晶硅之间有介质层。本发明的P型一次性可编程器件结构,提高了编程完之后整个器件的导通电流,并增加器件在编程前后可区分的电流范围。 |
申请公布号 |
CN103094282B |
申请公布日期 |
2015.10.14 |
申请号 |
CN201110335056.9 |
申请日期 |
2011.10.28 |
申请人 |
上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
发明人 |
刘梅;黄景丰 |
分类号 |
H01L27/112(2006.01)I;G11C17/08(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/112(2006.01)I |
代理机构 |
上海浦一知识产权代理有限公司 31211 |
代理人 |
王江富 |
主权项 |
一种P型一次性可编程器件结构,在硅片上形成有N型阱,在N型阱上从左到右依序形成有第一P型重掺杂区、第二P型重掺杂区、第三P型重掺杂区,第一P型重掺杂区同第二P型重掺杂区之间的N型阱上及第二P型重掺杂区同第三P型重掺杂区之间的N型阱上分别形成有栅氧,第一P型重掺杂区同第二P型重掺杂区之间的栅氧之上形成有存储管栅极多晶硅,第二P型重掺杂区同第三P型重掺杂区之间的栅氧之上形成有选通管栅极多晶硅,其特征在于,所述存储管栅极多晶硅上方形成有一导电层,所述导电层同所述存储管栅极多晶硅之间有介质层;所述导电层通过通孔和金属同第二P型重掺杂区相短接后电位悬空。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 |