| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 在包围有源区(21)的第一保护环区上，隔着场氧化膜(9)而设有保护用二极管(10)。保护用二极管(10)由p+型层(19)与n-型层(20)相邻接而得的串联pn齐纳二极管(18)构成。在像这样在保护用二极管(10)下具有第一保护环区的半导体装置(100)中，覆盖聚酰亚胺膜(15)以作为表面保护膜，从而能防止表面保护膜产生裂纹。另外，在保护用二极管(10)下设置第一保护环区，隔着中间区(R)的第三保护环区与非配置于保护用二极管(10)下的第二保护环区相连结，从而能在施加浪涌电压时，缓和配置于保护用二极管(10)下的第一保护环区的最外周的保护环(31e)处的电场集中。 | ||
| 申请公布号 | CN104981903A | 申请公布日期 | 2015.10.14 |
| 申请号 | CN201480007030.3 | 申请日期 | 2014.03.14 |
| 申请人 | 富士电机株式会社 | 发明人 | 内藤达也 |
| 分类号 | H01L27/04(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 万捷 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其特征在于，包括：半导体元件，该半导体元件设置于第一导电型的半导体基板上，并具有流过主电流的有源区、以及包围所述有源区的终端结构区；保护用二极管，该保护用二极管隔着绝缘膜而设置于所述终端结构区上；1个以上的第二导电型的扩散层，该1个以上的第二导电型的扩散层在所述终端结构区中，选择性地设置于所述半导体基板的与所述绝缘膜相接的一侧的表面层上，并包围所述有源区；以及表面保护膜，该表面保护膜覆盖所述终端结构区，利用在从所述有源区侧朝向外侧的方向上由第一导电型半导体层与第二导电型半导体层交替相邻而成的多个二极管，来形成所述保护用二极管，所述保护用二极管的一端与设于所述半导体元件的外周侧的高电位电极进行电连接，所述保护用二极管的另一端与设于所述有源区侧的所述半导体元件的栅极布线进行电连接，所述保护用二极管的一端位于比最外周的所述扩散层的外周端要靠近外侧的位置。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||