晶体管的形成方法

摘要

本发明提供一种晶体管的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成多个伪栅结构采用流体化学气相沉积法，在所述伪栅结构之间填充第一介质层，使第一介质层低于所述伪栅结构；在所述伪栅结构以及第一介质层上形成第二介质层，所述第二介质层的致密性高于所述第一介质层的致密性；去除伪栅结构中的伪栅，形成开口；在所述开口中形成金属栅极。流体化学气相沉积法填充的第一介质层在初始具有流动性，能够较好地填充于伪栅结构之间，并且不容易产生空隙等缺陷，第二介质层的硬度及抗刻蚀能力较强，在之后的金属栅极的形成过程中第二介质层能够保持较好的形貌，从而使得后续能够形成高度较为统一的金属栅极，保证晶体管的质量。

主权项

一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成多个伪栅结构，所述伪栅结构包括伪栅；在所述伪栅结构露出的衬底中形成源区、漏区；采用流体化学气相沉积法，在所述伪栅结构之间填充第一介质层，使第一介质层低于所述伪栅结构；在所述伪栅结构以及第一介质层上形成第二介质层，使所述第二介质层的表面与伪栅结构中的伪栅表面齐平，所述第二介质层的致密性高于所述第一介质层的致密性；去除伪栅结构中的伪栅，形成开口；在所述开口中形成金属栅极。