一次编程存储器及其相关存储单元结构

摘要

一次编程存储器，包括一第一存储单元与一第二存储单元。其中，第一存储单元中包括一第一储存晶体管，第二存储单元中包括一第二储存晶体管。第一储存晶体管中的栅极结构与第二储存晶体管中的栅极结构之间的距离很短，并且其间隔件彼此重叠。如此，可以制造出高容量的一次编程存储器。

主权项

一种一次编程存储器，包括：一第一型区域；一鳍状结构，凸出于该第一型区域，且该鳍状结构中具有一第一第二型掺杂区域、一第二第二型掺杂区域；一第一栅极结构，形成于该鳍状结构上且位于该第一第二型掺杂区域与该第二第二型掺杂区域之间，其中该第一栅极结构覆盖于该鳍状结构的上方以及二侧表面；以及一第二栅极结构，形成于该鳍状结构上且位于该第二第二型掺杂区域的一侧，其中该第二栅极结构覆盖于该鳍状结构的上方以及二侧表面；其中，该鳍状结构、该第一第二型掺杂区域、该第二第二型掺杂区域与该第一栅极结构形成一第一存储单元中的一第一开关晶体管；该鳍状结构、该第二第二型掺杂区域与该第二栅极结构形成该第一存储单元中的一第一储存晶体管，该第一开关晶体管的栅极端连接至一第一字元线，该第一开关晶体管的第一漏/源端连接至一第一位元线，该第一开关晶体管的第二漏/源端连接至该第一储存晶体管的第一漏/源端，该第一储存晶体管的第二漏/源端为浮接，该第一储存晶体管的栅极端连接至一第一控制线。