SiC基HEMT器件的制备方法

摘要

一种基于SiC材料的HEMT器件的制备方法，包括：清洗SiC衬底；将AlN薄膜淀积到SiC衬底上；将Al_xGa_1-xN薄膜淀积到AlN薄膜上；将GaN薄膜淀积到Al_xGa_1-xN薄膜上；对所述的AlN薄膜、Al_xGa_1-xN薄膜、GaN薄膜的两侧进行ICP干法刻蚀，形成台面；在台面上制作Ti/Al/Ni/Au的4层金属，退火，形成基片；在基片上面淀积第一Si₃N₄钝化层；光刻蚀出窗口，在窗口内淀积栅金属电极；在第一Si₃N₄钝化层和栅金属电极上再次淀积第二Si₃N₄钝化层；刻蚀掉Ti/Al/Ni/Au的4层金属和栅金属电极上的第一Si₃N₄钝化层和第二Si₃N₄钝化层，互连金属完成器件制备。本发明具有高介电常数、高自发极化、高临界电场和晶格匹配的异质材料。

主权项

一种基于SiC材料的HEMT器件的制备方法，包括以下步骤：步骤1：清洗SiC衬底，去除表面氧化层，该SiC衬底的厚度为2‑4μm；步骤2：利用化学气相沉积或物理气相沉积将AlN薄膜淀积到清洗后的SiC衬底上；步骤3：利用化学气相沉积或物理气相沉积将Al_xGa_1‑xN薄膜淀积到AlN薄膜上；步骤4：利用化学气相沉积或物理气相沉积将GaN薄膜淀积到Al_xGa_1‑xN薄膜上；步骤5：通过光刻，采用氯基气体对所述的AlN薄膜、Al_xGa_1‑xN薄膜、GaN薄膜的两侧进行ICP干法刻蚀，刻蚀深度到达SiC衬底的表面，形成台面；步骤6：在刻蚀形成的台面上制作自上而下的Ti/Al/Ni/Au的4层金属，退火，形成源、漏欧姆接触，形成基片；步骤7：采用PECVD的方法，在基片上面淀积第一Si₃N₄钝化层，用以保护所述的源、漏欧姆接触；步骤8：在GaN薄膜4上的第一Si₃N₄钝化层上光刻蚀出窗口，在窗口内淀积栅金属电极；步骤9：在第一Si₃N₄钝化层和栅金属电极上再次淀积第二Si₃N₄钝化层；步骤10：刻蚀掉Ti/Al/Ni/Au的4层金属和栅金属电极上的第一Si₃N₄钝化层和第二Si₃N₄钝化层，互连金属完成器件制备。