| 发明名称 | 晶体管的制作方法 | ||
| 摘要 | 一种晶体管的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有栅极结构；所述栅极结构为掩膜，刻蚀去除部分厚度的半导体衬底；在栅极结构两侧的半导体衬底上形成侧墙；在栅极结构和侧墙两侧的半导体衬底上形成硅外延层；对所述栅极结构和侧墙两侧的硅外延层和半导体衬底进行掺杂，形成源/漏区；在源/漏区和栅极结构上形成硅化镍接触区。本发明的晶体管的制作方法，能防止在栅极结构下方的沟道区形成锥形硅化镍缺陷，提高器件的稳定性。 | ||
| 申请公布号 | CN103137481B | 申请公布日期 | 2015.10.14 |
| 申请号 | CN201110383473.0 | 申请日期 | 2011.11.25 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 张彬;邓浩 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种晶体管的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有栅极结构；所述栅极结构为掩膜，刻蚀去除部分厚度的半导体衬底；在栅极结构两侧的半导体衬底上形成侧墙；在栅极结构和侧墙两侧的半导体衬底上形成硅外延层；对所述栅极结构和侧墙两侧的硅外延层和半导体衬底进行掺杂，形成源/漏区；在源/漏区和栅极结构上形成硅化镍接触区。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||