| 发明名称 | 一种薄膜晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明实施例提供一种薄膜晶体管及其制造方法，涉及显示技术领域，能够减少源漏极至极性反转区的纵向电阻，从而提高源漏极至极性反转区的电流，提升TFT的性能。其中，TFT的有源层上存在未刻穿的第一凹槽和第二凹槽，TFT的源极和漏极分别至少部分形成于第一凹槽和第二凹槽内，源极和漏极分别通过第一凹槽和第二凹槽与有源层接触。本发明实施例用于TFT的制造。 | ||
| 申请公布号 | CN104979380A | 申请公布日期 | 2015.10.14 |
| 申请号 | CN201510273988.3 | 申请日期 | 2015.05.26 |
| 申请人 | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 宋博韬;姜涛;韩俊号;韩领;操彬彬;杨成绍 |
| 分类号 | H01L29/417(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L29/66(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/417(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人 | 申健 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，其特征在于，所述TFT的有源层上存在未刻穿的第一凹槽和第二凹槽，所述TFT的源极和漏极分别至少部分形成于所述第一凹槽和所述第二凹槽内，所述源极和漏极分别通过所述第一凹槽和所述第二凹槽与所述有源层接触。 | ||
| 地址 | 230011 安徽省合肥市新站区站前路99号南海大厦502室 | ||