一种基于芯片工艺制程的LED灯丝制备方法

摘要

一种基于芯片工艺制程的LED灯丝制备方法，包括以下步骤：（1）制备发光二极管芯片；（2）将发光二极管芯片沿N型GaN层的上表层进行半切；（3）沿按固定周期刻蚀出的台面进行裂片，使发光二极管芯片成为独立的芯片单元，未切开的衬底成为承载各个芯片单元的基板；（4）将相邻芯片单元进行连线导通；（5）在各个芯片单元上制作荧光胶包覆层，将各个芯片单元完全包覆。本发明将LED芯片制程技术与封装技术进行融合，解决了LED灯丝制程中对散热起关键作用的基板选择以及荧光粉与基板剥离等问题，成本降低50%，可直接进行封装，无需进行点胶、固晶等操作，解决现行封装工艺的点胶、芯片摆歪、芯片塌陷等问题。

主权项

一种基于芯片工艺制程的LED灯丝制备方法，其特征是，包括以下步骤：(1)制备发光二极管芯片；通过MOCVD工艺依次在蓝宝石衬底上制备GaN层、N型GaN层、量子阱有源区、P型GaN层和透明导电层，在透明导电层上制作P电极，在N型GaN层上通过台面制作N电极，制成发光二极管芯片；并按固定周期在每个周期单元两端均刻蚀出台面，刻蚀深度到达衬底上表面；(2)将步骤(1)制备的发光二极管芯片沿N型GaN层的上表层进行半切；(3)沿按固定周期刻蚀出的台面进行裂片，使发光二极管芯片成为独立的芯片单元，未切开的衬底成为承载各个芯片单元的基板；(4)将相邻芯片单元进行连线导通；(5)在各个芯片单元上制作荧光胶包覆层，将各个芯片单元完全包覆。