| 发明名称 | 一种超结结构的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种超结结构的制备方法，属于半导体工艺制造技术领域。包括以下步骤：1)在衬底上制备第一N型外延层；2)采用多次高能离子注入工艺，在第一N型外延层需要制作P型柱的区域注入P型杂质，形成第一注入区；3)在第一N型外延层和第一注入区上形成第二N型外延层；4)采用多次高能离子注入工艺，在第二N型外延层需要制作P型柱的区域注入P型杂质，形成第二注入区；5)重复步骤3)、4)的“外延-多次高能离子注入”过程，直到满足超结结构的耐压要求。本发明采用多次不同能量和剂量的高能离子注入实现了P、N条的注入，得到了P、N条宽较小的超结结构，克服了传统外延注入因高温退火推结导致的P条横扩严重。 | ||
| 申请公布号 | CN104979214A | 申请公布日期 | 2015.10.14 |
| 申请号 | CN201510238123.3 | 申请日期 | 2015.05.12 |
| 申请人 | 电子科技大学 | 发明人 | 乔明;张晓菲;代刚;王裕如;张康;陈钢;李阳;张波 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/266(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人 | 李明光 |
| 主权项 | 一种超结结构的制备方法，包括以下步骤：步骤1：在衬底上制备第一N型外延层；步骤2：采用多次高能离子注入工艺，在第一N型外延层需要制作P型柱的区域注入P型杂质，形成第一注入区；步骤3：在步骤2得到的第一N型外延层和第一注入区上形成第二N型外延层；步骤4：采用多次高能离子注入工艺，在第二N型外延层需要制作P型柱的区域注入P型杂质，形成第二注入区；步骤5：重复步骤3、4的“外延‑多次高能离子注入”过程，直到满足超结结构的耐压要求。 | ||
| 地址 | 611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号 | ||