| 发明名称 | 一种晶圆键合工艺 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种晶圆键合工艺，包括：提供第一晶圆和第二晶圆；于所述第一晶圆的键合面上设置至少一个第一零点标记；于所述第二晶圆的键合面上设置至少一个第二零点标记；将所述第一晶圆键合至所述第二晶圆上；其中，所述第一零点标记与所述第二零点标记重叠。本发明通过在待键合的两个晶圆的键合面上均预先对应设计有零点标记，以使得在进行键合工艺之后上述的两个晶圆上设置的零点标记相互重叠，从而增大了键合晶圆中键合面的接触面积，提高了键合工艺的质量，进而在后续的研磨工艺中，有效降低了晶圆表面发生脱落的风险，进一步的提高器件的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN104979223A | 申请公布日期 | 2015.10.14 |
| 申请号 | CN201410133223.5 | 申请日期 | 2014.04.03 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 赵月林;游宽结;华宇;陈福成 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01)I;H01L23/544(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人 | 俞涤炯 |
| 主权项 | 一种晶圆键合工艺，其特征在于，该工艺包括：提供第一晶圆和第二晶圆；于所述第一晶圆的键合面上设置至少一个第一零点标记；于所述第二晶圆的键合面上设置至少一个第二零点标记；将所述第一晶圆键合至所述第二晶圆上；其中，所述第一零点标记与所述第二零点标记重叠。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区张江路18号 | ||