| 发明名称 | 碳化硅单晶基板及研磨液 | ||
| 摘要 | 本发明涉及碳化硅单晶基板，其具备具有包含来源于结晶结构的原子台阶和平台的原子台阶-平台结构的主面，所述原子台阶-平台结构中，所述原子台阶的前端线部的平均线粗糙度相对于所述原子台阶的高度的比例为20％以下。 | ||
| 申请公布号 | CN104979184A | 申请公布日期 | 2015.10.14 |
| 申请号 | CN201510176570.0 | 申请日期 | 2012.10.02 |
| 申请人 | 旭硝子株式会社 | 发明人 | 吉田伊织;竹宫聪;朝长浩之 |
| 分类号 | H01L21/304(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I;C09K3/14(2006.01)I;C30B29/36(2006.01)I;C30B33/10(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/304(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 王海川;穆德骏 |
| 主权项 | 一种研磨液，其为用于对碳化硅单晶基板的预定的面方向的主面进行化学机械研磨使得该主面具有包含来源于结晶结构的原子台阶和平台的原子台阶‑平台结构并且该原子台阶‑平台结构中所述原子台阶的前端线部的平均线粗糙度相对于所述原子台阶的高度的比例为20％以下的研磨液，所述研磨液含有氧化还原电位为0.5V以上的含过渡金属的氧化剂和水，且不含磨粒。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||