| 发明名称 | 一种半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：提供晶片；减薄所述晶片的边缘，以减小所述晶片的边缘的厚度；在所述晶片的有源区形成用于容置浅沟槽隔离的沟槽；对所述晶片的边缘进行斜面蚀刻。本发明的半导体器件的制造方法，与现有技术相比，在晶片制备工艺开始之前首先对所述晶片进行处理，将晶片的边缘部位进行减薄（thinning），然后在所述晶片的有源区形成沟槽，然后沉积氧化物层，以形成浅沟槽隔离，同时在所述晶片的边缘上方形成氧化物层，通过所述方法可以在晶片的边缘可以填充更多氧化物，以得到厚度更大的氧化物层，从而保证在所述氧化物层上形成的高K、覆盖层以及金属焊盘不会发生脱落现象，提高半导体器件的良率。 | ||
| 申请公布号 | CN104979186A | 申请公布日期 | 2015.10.14 |
| 申请号 | CN201410143509.1 | 申请日期 | 2014.04.10 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 胡敏达;王冬江;张城龙 |
| 分类号 | H01L21/306(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/306(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 高伟;冯永贞 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供晶片；减薄所述晶片的边缘，以减小所述晶片的边缘的厚度；在所述晶片的有源区形成用于容置浅沟槽隔离的沟槽；对所述晶片的边缘进行斜面蚀刻。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||