半导体装置与其形成方法

摘要

本发明提供的半导体装置与其形成方法，半导体装置包括第一导电型的基板，以及漏极区、源极区、与阱位于基板中。位于漏极区与源极区之间的阱具有第二导电型，且第一导电型与第二导电型相反。此装置还包括多个掺杂区于阱中。掺杂区水平地与垂直地互相偏离。每一掺杂区包含第一导电型的较下部分，与较下部分上的第二导电型的较上部分。通过本发明提供的半导体装置与其形成方法，可以在半导体装置增加击穿电压的情况下，而不会增加装置面积或开启电阻。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，包括：一基板，具有一第一导电型；一漏极区、一源极区、与一阱位于该基板中，该阱位于该源极区与该漏极区之间，该阱具有一第二导电型，且该第一导电型与该第二导电型相反；以及多个掺杂区位于该阱中，所述掺杂区水平地与垂直地互相偏离，每一所述掺杂区包括该第一导电型的一较下部分，与堆叠于该较下部分上的该第二导电型的一较上部分。