| 发明名称 | Boost无直流偏磁无电解电容的APFC方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了Boost无直流偏磁无电解电容的APFC方法，在Boost电路中接入磁集成的两组高频自激推挽振荡电路，使APFC过程包括受控于单片机MCU的两个低频的开关管分别调控两组高频自激推挽振荡电路的高频电感的APFC过程。本发明方法不使用电解电容而提高可靠性，实现逐个脉冲精确占空比控制，实现真正的“谷底开关QR”，降低发热，实现输出电流低纹波，实现高的功率因数及电功效率，成本低，且无直流偏磁问题和无电解电容污染问题。 | ||
| 申请公布号 | CN104980014A | 申请公布日期 | 2015.10.14 |
| 申请号 | CN201510407521.3 | 申请日期 | 2015.07.13 |
| 申请人 | 南宁常萌电子科技有限公司;石常青;王希天 | 发明人 | 石常青;常小霞;野娜;王希天 |
| 分类号 | H02M1/42(2007.01)I;H02M7/217(2006.01)I;H02M3/337(2006.01)I | 主分类号 | H02M1/42(2007.01)I |
| 代理机构 | 广西南宁公平专利事务所有限责任公司 45104 | 代理人 | 翁建华 |
| 主权项 | Boost无直流偏磁无电解电容的APFC方法，其特征在于，在Boost电路中接入磁集成的两组高频自激推挽振荡电路，使APFC过程包括受控于单片机MCU的两个低频的开关管分别调控两组高频自激推挽振荡电路的高频电感的APFC过程。 | ||
| 地址 | 530004 广西壮族自治区南宁市高新区科园东四路3号生产科研楼501房 | ||