发明名称 |
一种存储器编程方法和系统 |
摘要 |
本发明公开了一种存储器编程方法和系统,以解决增加电荷泵中电容和二极管数量,导致占用更大的存储器面积,增加存储器的成本,甚至影响存储器内其他器件使用的问题。其中方法包括:存储器在接收到编程指令后,确定编程指令对应的,需要被执行编程操作的多字节存储单元;存储器向外部电源转接板发送针对编程指令生成的编程使能信号;存储器接收外部电源转接板在接收到编程使能信号之后输出的,与编程使能信号相对应的编程电压;存储器将编程电压施加到多字节存储单元的漏极,对多字节存储单元执行编程操作。本发明不会增加存储器的面积,存储器成本较低,也不会影响存储器内其他器件的使用,并且外部电源转接板的使用更加灵活。 |
申请公布号 |
CN104979006A |
申请公布日期 |
2015.10.14 |
申请号 |
CN201410129771.0 |
申请日期 |
2014.04.01 |
申请人 |
北京兆易创新科技股份有限公司 |
发明人 |
胡洪;卜尔龙 |
分类号 |
G11C16/10(2006.01)I |
主分类号 |
G11C16/10(2006.01)I |
代理机构 |
北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 |
代理人 |
赵娟 |
主权项 |
一种存储器编程方法,其特征在于,所述存储器外接有预先设置的外部电源转接板,所述存储器包括多个存储单元,所述方法包括:所述存储器在接收到编程指令后,确定所述编程指令对应的,需要被执行编程操作的多字节存储单元;所述存储器向所述外部电源转接板发送针对所述编程指令生成的编程使能信号;所述存储器接收所述外部电源转接板在接收到所述编程使能信号之后输出的,与所述编程使能信号相对应的编程电压;所述存储器将所述编程电压施加到所述多字节存储单元的漏极,对所述多字节存储单元执行编程操作。 |
地址 |
100083 北京市海淀区学院路30号科大天工大厦A座12层 |