半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有：相邻的第一栅极和第二栅极，第一栅极和第二栅极之间的半导体衬底内具有第一源漏区；在半导体衬底上形成第一介质层，所述第一介质层的表面与第一栅极、第二栅极的表面齐平；对第二栅极进行第一刻蚀，去除部分厚度的第二栅极，使第二栅极的顶部表面低于第一栅极的顶部表面；在刻蚀后的第二栅极顶部表面形成表面与第一介质层的表面齐平的第二介质层；在第一介质层、第一栅极和第二介质层表面形成第三介质层；在第三介质层和第一介质层内形成第一接触孔，第一接触孔暴露出第一栅极表面及第一源漏区表面。上述方法可以提高接触孔的可靠性。

主权项

一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有：相邻的第一栅极和第二栅极，所述第一栅极与半导体衬底之间具有第一栅介质层，第二栅极和半导体衬底之间具有第二栅介质层，所述第一栅极和第二栅极之间的半导体衬底内具有第一源漏区；在所述半导体衬底上形成第一介质层，所述第一介质层的表面与第一栅极、第二栅极的表面齐平；对第二栅极进行第一刻蚀，去除部分厚度的第二栅极，使刻蚀后的第二栅极的顶部表面低于第一栅极的顶部表面；在刻蚀后的第二栅极顶部表面形成第二介质层，所述第二介质层的表面与第一介质层的表面齐平；在所述第一介质层、第一栅极和第二介质层表面形成第三介质层；在所述第三介质层和第一介质层内形成第一接触孔，所述第一接触孔暴露出第一栅极表面以及第一源漏区表面。