具有双金属硅化物的射频LDMOS器件的制造方法

摘要

本发明公开了一种具有双金属硅化物的射频LDMOS器件及制造方法，P型硅衬底上形成P型外延，P型外延中形成N型低掺杂漏区、P阱和N型重掺杂漏区；P阱中形成N型重掺杂源区、P型重掺杂引出区；N型重掺杂漏区上方形成漏极钛金属硅化物层，P型重掺杂引出区和N型重掺杂源区上方形成源极钛金属硅化物层，多晶硅栅极上方具有栅极钛金属硅化物层，栅极钛金属硅化物层的厚度大于漏极钛金属硅化物层和源极钛金属硅化物层的厚度。本发明栅极的钛金属硅化物较厚，可以降低栅极的方块电阻，源极和漏极上的常规厚度钛金属硅化物避免对源漏和阱的结穿透造成漏电。

主权项

一种具有双金属硅化物的射频LDMOS器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：第1步，在P型硅衬底(1)上生长P型外延(2)，在P型外延(2)上生长栅氧层，并在栅氧层上淀积多晶硅，光刻刻蚀形成多晶硅栅极(5)；第2步，在P型外延(2)中自对准多晶硅栅极(5)进行离子注入，经高温推进形成P阱(3)，P阱(3)的一端位于多晶硅栅极(5)下方；第3步，进行离子注入，在P阱(3)中形成N型重掺杂源区(8)和P型重掺杂引出区(7)，同时在P型外延(2)中形成N型低掺杂漏区(4)和N型重掺杂漏区(6)；所述P型重掺杂引出区(7)位于N型重掺杂源区(8)远离多晶硅栅极(5)的一侧，并与N型重掺杂源区(8)接触；所述N型低掺杂漏区(4)位于N型重掺杂漏区(6)和P阱(3)之间，且一侧与N型重掺杂漏区(6)重合，另一侧位于多晶硅栅极(5)下方与P阱(3)留有间隙；第4步，在整个器件上淀积氧化硅阻挡层(12)，并在其上淀积一有机介质层(9)；第5步，干法回刻去除多晶硅栅极(5)上的有机介质层(9)和氧化硅阻挡层(12)，在源漏上保持氧化硅阻挡层(12)及部分有机介质层(9)；第6步，湿法去除有机介质层(9)，在整个器件上淀积用于形成硅化物的金属钛和氮化钛；第7步，快速热退火，在多晶硅栅极(5)表面形成栅极钛金属硅化物层(11)，湿法刻蚀去除氧化硅阻挡层(12)上未反应的金属钛和氮化钛；第8步，在整个器件上再淀积一氧化硅阻挡层(12)；第9步，光刻刻蚀打开源漏；第10步，在整个器件上淀积金属钛和氮化钛，快速热退火，在打开的源漏区域形成常规的源极钛金属硅化物层(14)和漏极钛金属硅化物层(13)，湿法刻蚀去除氧化硅阻挡层(12)上未反应的金属钛和氮化钛，所述漏极钛金属硅化物层(13)和源极钛金属硅化物层(14)的厚度相同，所述栅极钛金属硅化物层(11)的厚度大于漏极钛金属硅化物层(13)和源极钛金属硅化物层(14)的厚度。