| 发明名称 | 基底基板、第13族氮化物结晶及其制法 | ||
| 摘要 | 在基底基板(18)的主面(c面)(18a)上以阶梯状形成有多个台阶(19)。各台阶(19)的阶差为10～40μm，边缘形成为与GaN的六方晶的a面平行。又，各台阶(19)的平台宽度被设定为规定的宽度。规定的宽度被设定为，在基底基板(18)的主面(18a)上生长GaN结晶之后，从表面侧观察该生长后的GaN结晶时，通过晶界使主面(18a)被覆盖隐藏。多个台阶(19)通过例如干蚀刻、喷沙、激光、冲切等来形成。 | ||
| 申请公布号 | CN102575384B | 申请公布日期 | 2015.10.14 |
| 申请号 | CN201080046040.X | 申请日期 | 2010.10.15 |
| 申请人 | 日本碍子株式会社 | 发明人 | 平尾崇行;下平孝直;今井克宏 |
| 分类号 | C30B29/38(2006.01)I;C30B19/12(2006.01)I;H01L21/208(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/38(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人 | 李晓 |
| 主权项 | 一种第13族氮化物结晶，其特征在于，其是在主面具有阶差为10～40μm的多个台阶的基底基板的主面上生长的第13族氮化物结晶，观察从{1‑100}切出的所述第13族氮化物结晶的截面，晶界以所述基底基板的阶差为起点、在所述第13族氮化物结晶中向相对于<0001>方向呈55～75°倾斜的方向延伸。 | ||
| 地址 | 日本国爱知县名古屋市瑞穗区须田町2番56号 | ||