| 摘要 |
패터닝된 이종(heterogeneous) 구조들 상의 노출된 실리콘 산화물을 식각하는 방법이 설명되며, 불소-함유 전구체로부터 형성되는 원격 플라즈마 식각을 포함한다. 원격 플라즈마로부터의 플라즈마 배출물(effluent)들은 기판 프로세싱 영역 내로 유동되며, 기판 프로세싱 영역에서 플라즈마 배출물들은 수증기와 결합한다. 이러한 결합으로부터 초래되는 화학 반응은 반응물들을 생성하는데, 이러한 반응물들은 패터닝된 이종 구조들을 식각하여, 실시예들에서, 변형을 거의 나타내지 않는 남아있는 얇은 구조를 생성한다. 방법들은, 실리콘, 폴리실리콘, 실리콘 질화물, 티탄 또는 질화 티탄을 거의 제거하지 않으면서 또는 아예 제거하지 않으면서, 실리콘 산화물을 컨포멀하게 트리밍(trim)하는 데에 이용될 수 있다. 예시적인 실시예에서, 본원에서 설명되는 식각 프로세스들은, 얇은 원통형의 전도성 구조 주위에서 이러한 원통형의 구조가 크게 변형되지 않도록 하면서 몰드 산화물을 제거하는 것으로 발견되었다. |
