热处理腔室中的晶片支撑件的温度测量及控制

摘要

公开了在快速热处理过程中达成均匀加热或冷却基板的设备与方法。更明确地说，公开了在快速热处理过程中控制支撑基板的边缘环与/或反射体平板的温度以改善横跨基板的温度均匀性的设备与方法，其包括邻近边缘环以加热或冷却边缘环的热团或平板。

主权项

一种处理基板的腔室，其至少包括：腔室封围件，界定处理空间；基板支撑件，置于该处理空间中；边缘环，置于该基板支撑件上，该边缘环设以在该基板的周边上支撑该基板；第一热源，包括加热元件的阵列和反射体以加热该基板；第二热源，设置为并致力于改变该边缘环的温度；边缘环热探针和晶片热探针，所述第一热源，所述第二热源以及所述边缘环热探针和所述晶片热探针连接到控制器，以与所述基板无关地加热和冷却所述边缘环，并且最小化所述边缘环与所述晶片之间的温度差异；以及热团，位于邻近该边缘环处，该热团包括至少一通道，该通道包含加热或冷却该热团的流体，所述边缘环和所述热团可相对于彼此移动，使得所述边缘环可被冷却和加热以减小所述边缘环和所述热团之间的温度差异，其中该第一热源与该第二热源是可独立地控制的，其中该热团包括反射体平板。