微晶半导体膜的制造方法及半导体装置的制造方法

摘要

本发明提供一种高生产率地制造电特性优良的半导体装置的方法。在低微粒密度地提供高晶性的混合相微粒的第一条件下，在氧化绝缘膜上形成第一微晶半导体膜。然后，在使所述第一微晶半导体膜的混合相微粒进行结晶生长来填充混合相微粒之间的空隙的第二条件下，在所述第一微晶半导体膜上层叠第二微晶半导体膜。

主权项

一种微晶硅膜的制造方法，包括如下步骤：在第一条件下，在存在有包含硅的沉积气体及包含氢的稀释气体的状态中，在氧化绝缘膜上通过等离子体CVD法形成第一微晶硅膜；以及在第二条件下，在存在有所述沉积气体及所述稀释气体的状态中，在所述第一微晶硅膜上通过等离子体CVD法形成第二微晶硅膜，其中，所述第一微晶硅膜在降低混合相微粒的密度且提高所述混合相微粒的晶性的所述第一条件下形成，所述第二微晶硅膜在填充所述第一微晶硅膜的所述混合相微粒之间的空隙且促进结晶生长的所述第二条件下形成，在所述第一条件下，所述稀释气体流量为所述沉积气体流量的50倍以上且1000倍以下，且处理室内的压力为67Pa以上且1333Pa以下，并且，在所述第二条件下，所述稀释气体流量为所述沉积气体流量的100倍以上且2000倍以下，且所述处理室内的所述压力为1333Pa以上且13332Pa以下。